装饰者设计模式的原理 1. 类支持扩展，不支持修改。避免类爆炸的现象。（核心） 2. 装饰者模式：动态的将新功能附加到对象上，在对新功能扩展方面比继承更有弹性。 3.装饰者模式可以理解为打包快递 1）主体&…

在MSCRM中让Lookup根据一定的条件实现过滤功能, 这个需求很常见, 在我接触的诸多项目中似乎都需要有这个功能. 但非常遗憾是, MSCRM 的SDK并没有提供实现这个功能的方法. 不过我们应该还是感到庆幸, 据说, 微软CRM产品组有透露下面这样的方法: 场景: 实体： 实体名架…

现象 在做某一次用到elasticsearch的地位位置搜索时，报错： ElasticsearchStatusException[Elasticsearch exception [typesearch_phase_execution_exception, reasonall shards failed]] 我使用的是GeoDistanceQueryBuilder进行ElasticSearch的地理位置…

（一）Pycharm报错：No R interpreter defined No R interpreter defined: Many R related features like completion, code checking and help won’t be available. You can set an interpreter under Preferences->Languages->R 解决方…

问题 使用git add .提示出错error: XXX/ does not have a commit checked out fatal: adding files failed原因 在 xxx/ 文件夹下有隐藏文件解决 将隐藏文件删除掉即可显示隐藏文件

这是在做个人站的时候展示项目成果，因为不光需要展示，还需要介绍详细内容，就在滚动展示的地方做了这个效果以便于点开想要看的项目。 首先，要做的是一个需要滚动的区域。我前边写过一个关于图片循环滚动的示例，那个是一…

练习 1 里面的 豆瓣网站属于发送 ajax 强求获取到 json 数据，练习 2 的果壳属于正则匹配去源码中获取。本次练习的 36Kr 站点是前两者的结合。首页数据放在源码中，往后拖动，发送ajax请求去获取数据。 很自然，我们会想到使用两部分…

说明 当NAND interface速度在800MB/s以上时，为了增加信号传输的稳定度，可以使用warmup cycle(DQS latency cycle)。warmup cycle主要时在burst read/write开始之前，加入几个cycle的dummy data，用来sync DQ/DQS, 使sampling 更加准…

NAND Flash是一种非易失性存储设备，具有容量大、体积小、功耗低等优点，自 1989 年东芝公司首次提出以后，被广泛地应用于各种存储卡、电子设备、固态硬盘（SSD）之中。在便携式设备存储容量不断增加的推动下，N…

转载自： https://blog.csdn.net/hellomxj1/article/details/18984873 学习结构如目录所示： 一、NAND FLASH概述 二、NAND FLASH的参数及物理结构 三、NAND FLASH的地址访问方法 四、 NAND FLASH的操作方法 五、 NAND FLASH的其他一些补充 一、Nand Fla…

文章目录 1.读芯片ID1.1 读芯片ID时序1.2 由ID数据获得芯片参数2.读数据2.1 NAND内部结构分析2.2 地址序列与时序2.3 读数据流程2.4 转换所读地址的列与页2.5 NAND等待就绪2.6 读取数据函数2.7 NAND重定位2.7 读数据测试3.擦除3.1 擦除时序3.2 地址和参数合法性3.3 擦除函数3.4…

本文针对nand flash坏块部分进行简单的记录 什么是坏块 我们先来看一下nand flash的存储结构 nand flash的存储结构为：一个flash由许多个block组成，一个block又是有许多个page组成，一个page又是由有效的数据区和spare area区（即o…

NAND Flash 的 SDR、ONFI、DDR 接口 1. 省流导图 2. SDR、ONFI、DDR 概述 2.1 SDR (Single Data Rate) SDR（Single Data Rate）是指读写数据使用 单个时钟信号的边缘，即上升沿或下降沿 。在 SDR 模式下，数据的传输速率受限于时钟…

【详解】Nand Flash 必看知识1 常见缩略词 BBM (BBM)：Bad Block Management 坏块管理BBT (BBT)：Bad Block Table 坏块表ECC (ECC)：Error Correction Code 错误校验码E2PROM/EEPROM (EEPROM)：Electrically Erasable Programmable R…

依公知及经验整理，原创保护，禁止转载。 专栏 《深入理解NAND Flash》 全文 6200 字，​2023.12.12 更新 1. 导论 1.1 何为 3D NAND? 3D NAND, 也叫做 Sumsung V-NAND, 是一种高密度闪存。 以前，把NAND闪存颗粒，直接…

1、NandFlash的型号与命名 注：本文以S5PV210芯片和K9F2G08芯片做分析 (1)Nand的型号命名都有含义，拿K9F2G08来示例分析一下：K9F表示是三星公司的NandFlash系列。2G表示Nand的大小是2Gbit（256MB）。08表示Nand是8位的&a…

Nand Flash 1. 什么是 Nand Flash？ Nand Flash 是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅（Floating Gate）晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被存储在浮栅中，他们在无电源供应的情况下仍然可…

一、前言 随着信息技术的飞速发展，存储技术成为了电子设备不可或缺的核心部分。尤其是在物联网、大数据、人工智能等领域蓬勃发展的今天，高性能、高可靠性的存储解决方案成为行业关注的焦点。 近年来，国内对集成电路，尤其是存储…

什么是NAND Flash? NAND闪存是一种非易失性存储器技术，它彻底改变了数字时代的数据存储。它是闪存的一种形式，这意味着它可以被电擦除和重新编程。NAND闪存以NAND（NOT-AND）逻辑门命名，该逻辑门用于其基本架构。术语“…

一、什么是NAND闪存 NAND 闪存是一种非易失性存储器，不需要常规电源即可工作和保留数据。它的主要目标是非常快速地从内存读取和写入数据，并最大限度地利用其存储容量来存储数据、大数据并降低成本。 二、NAND 闪存的基本结构和组成 NAND Flash的基本…