文章目录 1.MOS电容C-V特性仿真(1) 绘制仿真电路图(2) 设置ADE L窗口(3) 进行参量扫描设置(4) 添加Outputs 2.MOS晶体管其他参数查看 1.MOS电容C-V特性仿真
MOS晶体管电容 C g g C{gg} Cgg是指晶体管的栅漏都接地时,栅对源 C g s C{gs} Cgs,栅对漏 C g …
1、 INFO(ORPSIM-16594): To improve Pseudotransient Convergence and Performance, set following options to relax stabilization criteria for capacitor currents and inductor voltages: PTRANABSTOL1e-5, PTRANVNTOL1e-4
错误原因:接地异常,没有…