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超大规模集成电路设计----CMOS反相器(五)

本文仅供学习,不作任何商业用途,严禁转载。绝大部分资料来自----数字集成电路——电路、系统与设计(第二版)及中国科学院段成华教授PPT 超大规模集成电路设计----CMOS反相器(五) 5.1 静态CMOS反相器综述5.1.1 静态CMOS反相器优点…

CMOS反相器

一、COMS反相器的工作原理 我们利用Cadence软件对反相器进行仿真,其基本结构如下:上面是一个PMOS,下面是一个NMOS。   为了保证电路能够正常工作,电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和,即VDD》VTH_n|VTH_…

典型的NMOS开关驱动电路

注: 1.Q5/料号:si2302是一个NMOS管。 2.R25/100R 的作用:2.1防止振荡2.2减少栅极充电的峰值电压3.保护NMOS管的D-S及不被击穿 2.1防止震荡,GPIO口输出端可能有些杂散的电感,在电压突变的情况下,可能会产…

virtuoso设计一个CMOS反相器并进行仿真

前言 此为1X集成电路设计培训的图文教程,仅作为个人的一个学习记录。由于我拿到的是已经配置好的,所以关于cadence virtuoso的环境配置,本教程将不做赘述。CMOS反相器是数字电路中最基本的组件之一,它能够将输入信号的逻辑状态反…

区分PMOS管和NMOS管的巧妙记忆方法

MOS管的管脚有三个:源极S(source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain),但是实际工程应用中,经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。对此,…

光刻PN结CMOS工艺流程详解说

常规CMOS 1.衬底选择:选择合适的衬底,或者外延片,本流程是带外延的衬底; 2. 开始:Pad oxide氧化,如果直接淀积氮化硅,氮化硅对衬底应力过大,容易出问题; 接着就淀积氮化…

肖特二极管、NMOS和PMOS的反向极性保护分析

引言 反向极性保护这个词许多工程师并不陌生。大多数前端电源系统,特别是电子汽车领域中,极性反接保护成为连接电池的 ECU/系统的一个关键组成部分。 它主要防止在浪涌事件,或者感应负载与电池断开连接期间出现动态反极性情况,因…

[note] 微电子学概论(3) PMOS和NMOS的区别,CMOS结构

文章目录 怎样更好地区别PMOS和NMOS四个端口分类和区别状态变化的条件增强和耗尽型PMOS和NMOS的通断 从CMOS电路重新认识两种元件 怎样更好地区别PMOS和NMOS 四个端口 图中可以很清晰地看到四个端口,首先要明确DBS三个端构成一个背靠背的PN结。 S端:源…

采用驱动IC和NMOS的防反电路设计

引言:无论是常规的低侧NMOS防反接电路还是高侧的PMOS防反接电路均有其局限性。本节简述采用驱动IC加NMOS的方案做防反电路的设计及其优点。 1、高边NMOS防反 PMOS的高边防反接使用自驱效应,但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患,并且PMOS价格…

数电基础:CMOS

注:几篇关于 CMOS 的文章合辑,未整理。 数字电子技术基础:门电路(CMOS) QNee 于 2020-08-12 23:28:31 发布 CMOS CMOS 是 Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的…

半导体晶体管(BJT/PMOS/NMOS/CMOS)工艺制程技术发展简史

半导体制程发展的动力是摩尔定律,一切都是为了做出更小尺寸且性能稳定的晶体管。 目前芯片生产中逻辑电路中使用的晶体管主要是CMOS,那BJT、PMOS、NMOS、COMS之间到底什么关系?为什么最终COMS应用在逻辑电路中?本文通过介绍晶体管制造工艺发展史解开上述疑问。 Fig1.晶体管…

CMOS器件历史浅析-CMOS电路的ESD保护设计结构

CMOS,咱半导体人第一个知道的一定是NMOS,因为大家培训都是用NMOS,但是你知道吗?世界上第一个MOS却是PMOS,发明于1960年,用于简单的数字逻辑器件(digital logic),但是速度太慢一直没有市场。直到1970年世界上第一颗NMOS出现且速度比PMOS快了2~3倍(因为电子的迁移率/mobil…

【数集】笔记(1):CMOS、MOS、NMOS、PMOS、MOSFET等的区别

复习时 发现连基础概念都不知道,连忙来找补 FET 把P型半导体放入电场中,根据同电荷排斥、异电荷吸引,电荷情况如下: 这种效应称为电场效应(Field Effect),依据这种现场所发明的半导体器件称为…

MOS管结构--NMOS、PMOS、CMOS、NAND、NOR、latch up(闩锁效应) 、Channel Length vs Gate Length

文章目录 NMOSPMOSCMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)NAND(与非门)NAND layout NOR(或非门)latch up(闩锁效应)Channel Length vs Gate Length NMOS 如果硅区域中掺杂了具有五价电子&#xff…

从原理的视角,一文彻底区分MOS MOSFET NMOS PMOS CMOS

从原理的视角,一文彻底区分MOS MOSFET NMOS PMOS CMOS 傻傻分不清由基础说起MOSFET登场NMOS电路抽象PMOS电路抽象什么是CMOS双向导通开关MOS管 本文为原创作品,转载请注明出处! 如果本文对你有帮助,请记得回复个好评,增…

904、基于51单片机的数据采集(TLC2543)

完整资料或代做滴滴我(有偿) 目录 一、设计功能 二、proteus仿真 三、原理图 四、程序源码 五、资料包括 一、设计功能 二、proteus仿真 三、原理图 四、程序源码 五、资料包括 需要完整的资料可以点击下面的名片,找我要资源压缩包的百度…

TLC2543和TLV5614的STM32程序

使用STM32的两个硬件SPI完成数据的读写,具体的见程序注释 1 /**************************(C) COPYRIGHT SunHao 2011***************************2 名称:ADDA.c3 功能:ADDA的相关配置以及读取函数4 作者:孙浩5 时间:20…

1144、基于51单片机的数据采集(TLC2543)

毕设帮助、开题指导、技术解答(有偿)见文末。 目录 一、设计功能 二、proteus仿真 三、原理图 四、程序源码 五、资料包括 一、设计功能 二、proteus仿真 三、原理图 四、程序源码 五、资料包括 需要完整的资料可以点击下面的名片,找我要…

基于51单片机自动数字电压表PCF8591 TLC2543 TL548 proteus仿真汇编程序设计

硬件设计1 附:http://www.jh-tec.cn/archives/7303 基于51单片机PCF8591 ADC的仿真电路图: A. 基于51单片机和PCF8591的电压表,具有仿真图/源程序; B. 由数码管作为显示器; C.测试电压范围为0~5V,精度约为…

8051单片机Proteus仿真与开发实例-TLC2543(A/D)转换驱动仿真

TLC2543(A/D)转换驱动仿真 TLC2543C 和 TLC2543I 是 12 位、开关电容器、逐次逼近型模数转换器。 每个设备具有三个控制输入 [片选 (CS)、输入-输出时钟 (I/OCLOCK) 和地址输入 (DATA INPUT)],旨在通过串行 3- 状态输出。 该设备允许从主机进行高速数据传输。 引脚符号功能19…