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NMOS和PMOS的DCIV仿真

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从零开始学cadence仿真，也算是一个学习记录。仿真软件版本比较低，但是依旧可以表明仿真过程。 NMOS仿真 原理图搭建 搭建NMOS原理图，这里工艺是smic13mmrf_1223。这是栅极电压和漏极电压为变量VGS和VDS。 设置仿真分析 首先对变量进行初…
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超大规模集成电路设计----CMOS反相器（五）

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本文仅供学习，不作任何商业用途，严禁转载。绝大部分资料来自----数字集成电路——电路、系统与设计(第二版)及中国科学院段成华教授PPT 超大规模集成电路设计----CMOS反相器（五） 5.1 静态CMOS反相器综述5.1.1 静态CMOS反相器优点…
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CMOS反相器

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一、COMS反相器的工作原理 我们利用Cadence软件对反相器进行仿真，其基本结构如下：上面是一个PMOS，下面是一个NMOS。   为了保证电路能够正常工作，电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即VDD》VTH_n|VTH_…
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典型的NMOS开关驱动电路

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注： 1.Q5/料号：si2302是一个NMOS管。 2.R25/100R 的作用：2.1防止振荡2.2减少栅极充电的峰值电压3.保护NMOS管的D-S及不被击穿 2.1防止震荡，GPIO口输出端可能有些杂散的电感，在电压突变的情况下，可能会产…
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virtuoso设计一个CMOS反相器并进行仿真

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前言 此为1X集成电路设计培训的图文教程，仅作为个人的一个学习记录。由于我拿到的是已经配置好的，所以关于cadence virtuoso的环境配置，本教程将不做赘述。CMOS反相器是数字电路中最基本的组件之一，它能够将输入信号的逻辑状态反…
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区分PMOS管和NMOS管的巧妙记忆方法

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MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。对此，…
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光刻PN结CMOS工艺流程详解说

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常规CMOS 1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底； 2. 开始：Pad oxide氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题； 接着就淀积氮化…
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肖特二极管、NMOS和PMOS的反向极性保护分析

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引言 反向极性保护这个词许多工程师并不陌生。大多数前端电源系统，特别是电子汽车领域中，极性反接保护成为连接电池的 ECU/系统的一个关键组成部分。 它主要防止在浪涌事件，或者感应负载与电池断开连接期间出现动态反极性情况，因…
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[note] 微电子学概论(3) PMOS和NMOS的区别，CMOS结构

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文章目录 怎样更好地区别PMOS和NMOS四个端口分类和区别状态变化的条件增强和耗尽型PMOS和NMOS的通断 从CMOS电路重新认识两种元件 怎样更好地区别PMOS和NMOS 四个端口 图中可以很清晰地看到四个端口，首先要明确DBS三个端构成一个背靠背的PN结。 S端：源…
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采用驱动IC和NMOS的防反电路设计

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引言：无论是常规的低侧NMOS防反接电路还是高侧的PMOS防反接电路均有其局限性。本节简述采用驱动IC加NMOS的方案做防反电路的设计及其优点。 1、高边NMOS防反 PMOS的高边防反接使用自驱效应，但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患，并且PMOS价格…
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数电基础：CMOS

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注：几篇关于 CMOS 的文章合辑，未整理。 数字电子技术基础：门电路（CMOS） QNee 于 2020-08-12 23:28:31 发布 CMOS CMOS 是 Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的…
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半导体晶体管(BJT/PMOS/NMOS/CMOS)工艺制程技术发展简史

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半导体制程发展的动力是摩尔定律，一切都是为了做出更小尺寸且性能稳定的晶体管。 目前芯片生产中逻辑电路中使用的晶体管主要是CMOS，那BJT、PMOS、NMOS、COMS之间到底什么关系？为什么最终COMS应用在逻辑电路中？本文通过介绍晶体管制造工艺发展史解开上述疑问。 Fig1.晶体管…
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CMOS器件历史浅析-CMOS电路的ESD保护设计结构

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CMOS，咱半导体人第一个知道的一定是NMOS，因为大家培训都是用NMOS，但是你知道吗？世界上第一个MOS却是PMOS，发明于1960年，用于简单的数字逻辑器件(digital logic)，但是速度太慢一直没有市场。直到1970年世界上第一颗NMOS出现且速度比PMOS快了2~3倍(因为电子的迁移率/mobil…
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【数集】笔记（1）：CMOS、MOS、NMOS、PMOS、MOSFET等的区别

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复习时 发现连基础概念都不知道，连忙来找补 FET 把P型半导体放入电场中，根据同电荷排斥、异电荷吸引，电荷情况如下： 这种效应称为电场效应（Field Effect），依据这种现场所发明的半导体器件称为…
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文章目录 NMOSPMOSCMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)NAND（与非门）NAND layout NOR（或非门）latch up（闩锁效应）Channel Length vs Gate Length NMOS 如果硅区域中掺杂了具有五价电子&#xff…
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使用STM32的两个硬件SPI完成数据的读写，具体的见程序注释 1 /**************************(C) COPYRIGHT SunHao 2011***************************2 名称：ADDA.c3 功能：ADDA的相关配置以及读取函数4 作者：孙浩5 时间：20…
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