分频器（DIV_TSPC）设计 前言一、DIV工作原理二、DIV电路设计（1）32分频原理图（2）D触发器原理图（3）D锁存器原理图（4）三输入与非门原理图 三、DIV仿真测试32分频器…

CMOS逻辑电路 目 录 1 PMOS管和NMOS管 3 2 CMOS管 4 3 非门 5 4 与非门 6 5 或非门 8 6 三态门 8 7 传输门 9 8 组合与时序逻辑电路 10 9 R-S触发器 10 10 同步RS触发器 11 11 JK触发器 13 12 维持阻塞式D触发器 15 13 CMOS边沿D触发器 17 14 编码器 18 15 译码…

参考文章一：硅基射频开关集成电路设计 许清河 硅基射频开关基础 1、MOSFET工作原理 传统的N 沟道MOSFET 物理结构如图2-1 所示，其包含了四个端口，分别为栅（Gate）、漏（Drain）源（Dra…

目录 Verilog HDL描述CMOS电路Verilog语法补充always阻塞赋值大概是数字电路的第三节、第五节有关Verilog的部分 Verilog HDL描述CMOS电路 重点是要搞清楚pmos、nmos、cmos三种。 关键字已经定义好了 例如： nmos N1（漏极、源极、控制栅极） cmos C1（输出信号，输入信号，…

后续文章大多是基于NMOS器件来讲解的，但是对于PMOS都很相似，且两种MOS性能上各有优劣，不是说只讲NMOS就是说NMOS好 CMOS功耗与速度 ①开关状态nmos管：输入高电平，输出低电平输入低电平，输出高阻 ②开关状…

文章摘抄自：什么是MOSFET的截止频率 MOSFET的截止频率FT 定义：在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(FT) 一、长沟器件的FT计算 MOS的小信号模型如下 其中截止频率的定义是…

拉扎维模拟CMOS集成电路python建模工程——从绘制NMOS与PMOS输出特性曲线开始 目录 拉扎维模拟CMOS集成电路python建模工程——从绘制NMOS与PMOS输出特性曲线开始 我为什么要开这个坑？ 绘制NMOS与PMOS输出特性曲线 体效应与阈值电压计算 输出阻抗、本征阻抗与…

从零开始学cadence仿真，也算是一个学习记录。仿真软件版本比较低，但是依旧可以表明仿真过程。 NMOS仿真 原理图搭建 搭建NMOS原理图，这里工艺是smic13mmrf_1223。这是栅极电压和漏极电压为变量VGS和VDS。 设置仿真分析 首先对变量进行初…

本文仅供学习，不作任何商业用途，严禁转载。绝大部分资料来自----数字集成电路——电路、系统与设计(第二版)及中国科学院段成华教授PPT 超大规模集成电路设计----CMOS反相器（五） 5.1 静态CMOS反相器综述5.1.1 静态CMOS反相器优点…

一、COMS反相器的工作原理 我们利用Cadence软件对反相器进行仿真，其基本结构如下：上面是一个PMOS，下面是一个NMOS。   为了保证电路能够正常工作，电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即VDD》VTH_n|VTH_…

注： 1.Q5/料号：si2302是一个NMOS管。 2.R25/100R 的作用：2.1防止振荡2.2减少栅极充电的峰值电压3.保护NMOS管的D-S及不被击穿 2.1防止震荡，GPIO口输出端可能有些杂散的电感，在电压突变的情况下，可能会产…

前言 此为1X集成电路设计培训的图文教程，仅作为个人的一个学习记录。由于我拿到的是已经配置好的，所以关于cadence virtuoso的环境配置，本教程将不做赘述。CMOS反相器是数字电路中最基本的组件之一，它能够将输入信号的逻辑状态反…

MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。对此，…

常规CMOS 1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底； 2. 开始：Pad oxide氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题； 接着就淀积氮化…

引言 反向极性保护这个词许多工程师并不陌生。大多数前端电源系统，特别是电子汽车领域中，极性反接保护成为连接电池的 ECU/系统的一个关键组成部分。 它主要防止在浪涌事件，或者感应负载与电池断开连接期间出现动态反极性情况，因…

文章目录 怎样更好地区别PMOS和NMOS四个端口分类和区别状态变化的条件增强和耗尽型PMOS和NMOS的通断 从CMOS电路重新认识两种元件 怎样更好地区别PMOS和NMOS 四个端口 图中可以很清晰地看到四个端口，首先要明确DBS三个端构成一个背靠背的PN结。 S端：源…

引言：无论是常规的低侧NMOS防反接电路还是高侧的PMOS防反接电路均有其局限性。本节简述采用驱动IC加NMOS的方案做防反电路的设计及其优点。 1、高边NMOS防反 PMOS的高边防反接使用自驱效应，但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患，并且PMOS价格…

注：几篇关于 CMOS 的文章合辑，未整理。 数字电子技术基础：门电路（CMOS） QNee 于 2020-08-12 23:28:31 发布 CMOS CMOS 是 Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的…

半导体制程发展的动力是摩尔定律，一切都是为了做出更小尺寸且性能稳定的晶体管。 目前芯片生产中逻辑电路中使用的晶体管主要是CMOS，那BJT、PMOS、NMOS、COMS之间到底什么关系？为什么最终COMS应用在逻辑电路中？本文通过介绍晶体管制造工艺发展史解开上述疑问。 Fig1.晶体管…

CMOS，咱半导体人第一个知道的一定是NMOS，因为大家培训都是用NMOS，但是你知道吗？世界上第一个MOS却是PMOS，发明于1960年，用于简单的数字逻辑器件(digital logic)，但是速度太慢一直没有市场。直到1970年世界上第一颗NMOS出现且速度比PMOS快了2~3倍(因为电子的迁移率/mobil…